Setiap tahun kita mempunyai kedatangan cip baru dari Qualcomm yang akan disatukan ke dalam kapal induk kebanyakan pengeluar sepanjang tahun. Tahun lalu tepatnya Snapdragon 820/821 yang diimplementasikan pada Galaxy S7, LG G5 dan produk bintang lain dari pelbagai jenama.
Snapdragon 835 adalah cip baru dari Qualcomm dan ini akan berlaku didedahkan di CES dari Las Vegas yang hampir akan bermula. Syarikat ini enggan mendedahkan sebahagian besar maklumat mengenai SoC ini, tetapi berkat kebocoran hari ini, kami mempunyai perincian 835.
Dikilangkan oleh Samsung dengan Senibina 10nm, cip Snapdragon 835 akan menawarkan peningkatan prestasi 27% berbanding Snapdragon 820, sementara menggunakan lebih sedikit kuasa daripada yang terakhir.
Modem X16 LTE pada cip Snapdragon 835 adalah pertama mempunyai modem LTE kelas gigabit. Kebocoran itu juga memberitahu kita bahawa cip tersebut akan mempunyai Kryo 280 core.GPU Adreno 540 menyokong 60 kali lebih banyak warna daripada cip jenama baru-baru ini, dengan rendering lebih cepat 25 peratus. Mengenai video, terdapat sokongan untuk main balik video 10-bit, 4K dan 60 FPS dengan grafik DirectX 12, OpenGL ES dan Vulkan.
Dengan cip baru ini, anda dapat melihat lebih banyak ruang untuk bateri yang lebih besar, kamera dengan fokus yang lebih pantas dan Quick Charge 4. Yang terakhir ini akan membolehkan bateri mengecas 20% lebih cepat daripada Quick Charge 3. Ini mungkin bermaksud 5 minit mengecas telefon pintar akan memberi masa tambahan bateri selama 5 jam kepada pengguna. Untuk mengecas separuh mudah alih, kita hanya perlu menyambungkannya ke muatan selama 15 minit.
Cip ini dapat dilihat di kapal pusingan pertama lencana begitu juga LG G6 dan Samsung Galaxy S8.