Zanimivo je, da je veliko uporabnikov, ki pri nakupu novega pametnega telefona bolj pozorni na različne parametre, kot so kakovost fotografij, hitrost procesorja in celo zmogljivost RAM-a naprave, ki je resnično v njenem ROM-u. Z drugimi besedami, v skladiščni zmogljivosti, ki jo lahko ponuja sam terminal, je dejstvo, ki gre lahko v ozadje in ki na žalost lahko povzroči, da kljub velikemu potencialu večje ozko grlo pri prehodu informacij iz fizičnega shranjevanja, dokler se ne naložijo v RAM za nadaljnjo obdelavo.
Kot pravim, so ROM-i veliko bolj pomembni, kot si lahko predstavljamo, čeprav nočemo temu verjeti, toliko, da brez dobrega spomina NAND, kot pravim, uporabniška izkušnja, ki jo ponuja ta terminal, lahko resno vpliva. V nasprotnem primeru lahko telefon, ki se na prvi pogled zdi povprečen, zaradi dobre kakovosti ROM-a ponudi veliko bolj koristno uporabniško izkušnjo.
JEDEC je pravkar posodobil standard, ki ureja način delovanja in delovanja pomnilnikov NAND tipa UFS, ki jih trenutno uporabljajo praktično vsi pametni telefoni na trgu.
Če želite vse to malo bolje razumeti, upoštevajte, da na primer pred več kot 10 leti v svetu namiznega računalnika bodisi v obliki stolpa bodisi kot prenosni računalnik dosežemo to hitrost v smislu obdelave podatkov so bili veliko starejši ljudje, so se odločili za SSD tehnologijo. Nekaj podobnega se je zgodilo nedolgo nazaj z Pogoni UFS, tehnologija, katere specifikacije je pravkar posodobil JEDEC pred nekaj dnevi.
Kot opomnik vam povemo, da so specifikacije NAND, ki se najpogosteje uporabljajo v današnjih pametnih telefonih UFS 2.0, ki je prvič prišel na trg, ko so ga leta 2015 uvedli Samsung Galaxy S6 in UFS 2.1, evolucija prejšnje, ki je kljub soobstoju z 2.0 služila po dolgem času kot resnična generacijska obnova za spomine tipa eMMC.
UFS 3.0 izstopa s hitrostjo branja in pisanja, pa tudi z delom z veliko manjšo porabo energije
Pojdimo v malo več podrobnosti, kot trdijo v sporočilu za javnost, ki ga je objavil JEDEC, kjer je objavljen novi standard, ugotavljamo, da UFS 3.0 podvoji pasovno širino, ki jo je prej ponujal UFS 2.1. Zahvaljujoč temu lahko govorimo o 11 Gbps na kanal, kar pomeni 6 GB / s za pisanje in branje.
Po drugi strani pa, kot že velja za standard UFS 2.0, lahko nastavite dva kanala kar v praksi pomeni, da je mogoče delati s številkami branja in pisanja do 2 GB / s, številkami, ki pritegnejo veliko pozornosti, ker jih v praksi danes ni mogoče doseči ali v SSD pogonih številnih profesionalnih računalnikov.
Druga točka, ki jo moramo upoštevati, je poraba energije tovrstnih naprav, nekaj, kar lahko v mobilni napravi postane kritično. Glede na dokumente se zdi, da UFS 3.0 bistveno izboljša te številke, saj se njegova poraba zmanjša na 2 voltov, daleč od 306 voltov, ki jih potrebujejo prejšnje različice tega istega standarda.
Drugi precej presenetljivi podatki iz UFS 3.0
Daleč od najbolj zanimivih in morda tehničnih podatkov, ki jih ponuja UFS 3.0, bi vam rad povedal, da je JEDEC natančno mislil, da bi ta nova generacija spominov NAND lahko delovala v kakršnem koli kontekstu. Na ta način je bilo doseženo, da je s tem novim standardom sistemi, ki lahko delujejo pri temperaturah od -40 ° C do 105 ° C.
Kot za možen prihod te vrste spomina na trgPo mnenju analitikov, ki govorijo o tem, bi očitno in čeprav se zdi nekoliko prenagljeno, bi prva poročila, ki uporabljajo tovrstno tehnologijo, lahko prišla na trg v drugo polovico leta.