Samsung ҳоло аз сифр оғоз хоҳад кард боз ҳам решакан кардани он шӯхӣ, ки ҳар вақте ки касе смартфонро аз истеҳсолкунандаи Корея харидорӣ мекунад, пайдо мешавад. Ин қариб ду моҳи вуқуи хоби даҳшатнок барои як истеҳсолкунандае буд, ки соли орзу дошт бо фурӯши аълои Galaxy S7.
Ин аст, вақте ки шумо эълон кардед, ки шумо шурӯъ кардед истеҳсоли оммавии микросхемаҳои 10nm, бинобар ин он дар саноат аввалин шуда ин корро мекунад. Ширкат эълом дошт, ки маҳсулоти нав ин микросхемаҳоро дар аввали сол хоҳад дошт ва аз он чизе, ки ба назар мерасад, ҳама чиз нишон медиҳад, ки онҳо Qualcomm Snapdragon 830 хоҳанд буд.
Гаштугузори нав барои Samsung, ки ба назар хеле душвор менамояд, аммо ин микросхемаҳои 10нм, ки дохил карда мешаванд дар Snapdragon 830 SoC нав Qualcomm сабаби беҳтаринест барои дур шудан аз он роҳҳое, ки шумо дар он бо вуқуи хоби Galaxy Note 7 алоқамандед, ба назар мерасад.
Тибқи овозаҳо, истеҳсолкунанда дар ин микросхемаҳои нав технологияеро истифода хоҳад кард Бастаи сатҳи фаннӣ (FoPLP) ки ба Samsung имкон медиҳад, ки микросхемаҳоро бидуни истифодаи тахтаи чопшуда барои субстрат васл кунад ва имкон медиҳад, ки он чипҳо бориктар шаванд.
Агар ин тахмин воқеият шавад, аз байн бурдани гиреҳи 14nm FinFET, ки барои Snapdragon 820 SoC истифода мешавад, Snapdragon 830 хоҳад кард боз ҳам арзонтар шавад истеҳсоли он. Ин инчунин имкон медиҳад, ки чип самараноктар сарфа карда шавад.
Ширкати калонтарини нимноқили Тайван дар ҷаҳон, TSMC, аллакай дар аввали соли ҷорӣ гуфта буд, ки хоҳад чипи истеҳсолӣ бо истифода аз раванди 7nm дар оғози соли 2018. Samsung дар паи худ тибқи интизор мерафт.
Ҳоло мо умедворем, ки аз хабарҳои марбут ба Galaxy S8, ки аз он ҳама чиз барои Samsung интизор аст тавонанд аз абр берун оянд Дар он пайдо шудааст.
Аваллин эзоҳро диҳед