Cada any tenim l'arribada d'un nou xip de Qualcomm que s'integrarà en els vaixells insígnia de la major part dels fabricants al llarg de l'any. L'any passat va ser justament el Snapdragon 820/821 el que va ser implementat en aquests Galaxy S7, LG G5 i altres productes estrella de les diferents marques.
El Snapdragon 835 és el nou xip de Qualcomm i aquest seria revelat en el CES de Las Vegas que estaria gairebé a punt de començar. Aquesta companyia va estar reticent a revelar la major part de la informació concernent a aquest SoC, però gràcies a una filtració d'avui mateix, tenim els detalls de l'835.
Manufacturat per Samsung amb la arquitectura de 10nm, El xip Snapdragon 835 oferirà un 27% de rendiment millorat sobre el Snapdragon 820, alhora que utilitzarà menys energia que el segon.
El mòdem X16 LTE en el xip Snapdragon 835 és el primer a tenir un mòdem LTE classe gigabit. La filtració també ens indica que el xip tindrà cores Kryo 280. La GPU Adreno 540 ofereix suport a 60 vegades més colors que els recents xips de la marca, amb fins i tot un renderitzat un 25 per cent més ràpid. Pel que fa a el vídeo, hi ha suport per a reproducció de vídeo 10-bits, 4K i 60 FPS amb gràfica DirectX 12, OpenGL ES i Vulkan.
Amb aquest nou xip, es podrà veure més espai per a majors bateries, càmeres amb un enfocament més ràpid i Quick Charge 4. Aquest últim possibilitarà que les bateries es carreguin un 20% més ràpides que Quick Charge 3. Això podria significar que 5 minuts carregant el telèfon intel·ligent donaria a l'usuari 5 hores extres de vida de bateria. Per tenir el mòbil carregat a la meitat només necessitaríem que estigués connectat a la càrrega durant 15 minuts.
Aquest xip podrà veure a la primera ronda de vaixells insígnies com són el LG G6 i el Samsung Galaxy S8.