Samsung sap molt bé que avui dia són molt poques les companyies rivals que veritablement poden competir amb la seva tecnologia més capdavantera. A causa d'això no és estrany que anunciïn que alentiran les seves investigacions quant a avenços tecnològics i que, literalment, no tenen competidors capaços de lluitar contra les seves evolucions.
Amb això al cap i per seguir copant la primera posició pel que fa a fabricant de components, la companyia coreana acaba d'anunciar que han començat a fabricar la denominada com la primera memòria RAM d'alt rendiment GDDR6 de 16 Gb del mercat, un tipus de memòria que, com segur estaràs pensant, està dissenyada tenint molt en compte el seu més que probable ús en plataformes que necessiten un rendiment molt alt com poden ser les dedicades a intel·ligència artificial, xarxes, automòbils i fins i tot per a dispositius de jocs i targetes gràfiques.
Les RAM GDDR6 de Samsung seran fabricades en 10 nanòmetres
Entrant una mica més detalladament, sobretot si no coneixes molt bé què pot oferir una d'aquestes memòries GDDR6, comencem parlant que per a la seva fabricació Samsung ha decidit utilitzar els seus processos de fabricació de 10 nanòmetres. Un punt que hem de tenir molt en compte és que la companyia ens parla de memòries de 16 Gb, cosa que et pot despistar ja que Gb són Gigabits, molt diferent dels GB o GigaBytes que estem acostumats a escoltar a tot arreu. Perquè et facis una idea, 16 Gb vindrien a equivaler a una memòria RAM de 2 GB.
Una dada que personalment m'ha cridat força l'atenció és que Samsung promet que aquestes memòries GDDR6 dupliquen el potencial de les seves pròpies memòries GDDR5 de 8 Gb fabricades en 20 nanòmetres. Per entendre això cal tenir en compte que aquestes memòries GDDR5 tenen una velocitat de 8 Gbps per pin mentre que les noves prometen una velocitat de fins a 16 gigabits per segon, cosa que significa que tindrien una capacitat de transferència de dades de 72 gigabytes per segon.
A més d'oferir unes prestacions molt superiors, les memòries GDDR6 consumeixen fins a un 35% menys d'electricitat
Per aconseguir augmentar en tot el possible la velocitat de transferència de dades de les memòries RAM alhora que el consum energètic no es disparava, els enginyers i dissenyadors de Samsung han decidit apostar per la integració d'un nou circuit de baixa potència amb què aconseguir fins i tot millorar el consum denergia respecte a la generació anterior sobre un 35%. D'aquesta manera i segons la documentació publicada, aquestes noves memòries passaran d'operar a 1,55V a 1,35V.
D'altra banda cal destacar una dada que també s'acaba de fer pública de forma oficial i és que per a Samsung fabricar aquestes noves memòries GDDR6 suposa aconseguir un augment en la productivitat de fabricació que ronda el 30% en comparació amb la producció de la generació sortint, és a dir, comparant les dades directament amb les obtingudes en la fabricació de les memòries GDDR5.
Tot i que Samsung no ha estat la primera a presentar memòries GDDR6 si que serà la primera a començar a fabricar-les
Tal com ha declarat ni més ni menys que Jinman Han, actual vicepresident sènior de planificació de productes de memòria de Samsung:
En presentar els productes GDDR6 de propera generació, enfortirem la nostra presència als mercats del gaming i les targetes gràfiques alhora que ens estem adaptant a la creixent necessitat de memòria gràfica avançada en els sistemes automotrius i de xarxes.
Com a detall final, comentar-te que és molt cert que Samsung no és la primera empresa a parlar i mostrar memòries GDDR6 encara que si la primera que ha començat a fabricar-les. Sense cap mena de dubte una posició molt interessant com aquesta, sobretot quan parlem d'un tipus de memòria RAM que està cridada a ser clau en les necessitats que la societat està començat a tenir quant a potència de processament gràfic.