Samsung està de tornada i, de nou, per treure els colors a molts dels grans fabricants de xips del planeta. En aquesta ocasió el desafiament ha consistit a mostrar al públic un nou xip RAM DDR4 que, com no podia ser altrament, destaca no només per ser catalogat per l'empresa com el més petit del món, sinó que també és més ràpid i consumeix menys energia que generacions anteriors del mateix xip.
Sense cap dubte Samsung ha aconseguit tornar a posar en dificultats molts dels seus competidors gràcies a l'impressionant arsenal tecnològic del qual fan gala tots els seus processos de fabricació, cosa que atenent a com se sol històricament comportar el mercat davant aquest tipus de llançaments, finalment farà, de nou, que Samsung s'emporti un tros més gran del pastís que molts fabricants s'ofegaran encara més, a nivell econòmic.
Samsung millora els seus processos de fabricació a 10 nanòmetres
Què fa especialment el llançament d'aquest nou xip? A nivell de característiques tècniques la veritat és que res, encara que la veritat és que, per altra banda, aquesta novetat és molt més important del que puguis imaginar ja que per al desenvolupament d'aquest nou xip RAM des de Samsung han decidit apostar per fabricar-lo per un procés de 10 nanòmetres, cosa que segur ens ajuda a entendre la gran millora que suposa oferir aquesta nova tecnologia.
Atenent a la nota de premsa publicada per la pròpia Samsung sobre això, pel que sembla aquest nou xip RAM DDR4 arribarà al mercat el 2018 i sent el primer desenvolupament de la companyia a estrenar la tecnologia de fabricació de 10 nanòmetres de segona generació. Com a detall, comentar-te que estem només davant d'un ajust del procés de fabricació utilitzat el 2017. Tot i això, Samsung ha aconseguit que aquest sigui encara més petit, suficient per ser el més diminut del món en el seu tipus.
Els enginyers de Samsung només han necessitat 20 mesos per millorar les seves tècniques de fabricació a 10 nanòmetres
Entrant una mica més detalladament, comentar-te que segons la companyia coreana parlem d'un xip que, segons les proves realitzades, és ni més ni menys que un 15% més eficient pel que fa al consum d'energia. Tot i que necessita molta menor energia elèctrica per funcionar, el xip és capaç d'oferir fins a un 10% més de rapidesa que la generació anterior.
Per aconseguir aquest interessant avenç, Samsung només ha necessitat 20 mesos des de la data en què es va llançar al mercat la generació anterior, mateixa amb què es va estrenar, alhora, els processos de fabricació de 10 nanòmetres a la companyia. Gràcies a aquestes millores, pel que sembla, també s'ha aconseguit que el mateix procés de fabricació s'ha perfeccionat en un 30%, el que es tradueix que ara és més senzill treballar amb aquesta tecnologia per Samsung i aconseguir, al seu torn, que els costos de fabricació disminueixin.
El pas als 8 nanòmetres encara es resisteix
De moment la veritat és que queda al tinter la possibilitat que molts esperàvem quant a Samsung donés el salt a la fabricació en 8 nanòmetres, cosa que pel que sembla encara trigarà força temps a arribar, més encara si tenim en compte que a dia d'avui no hi ha empreses que puguin competir amb aquesta tecnologia i que ha estat la pròpia empresa coreana la que ha confirmat que fins al 2018 no començaran les proves sobre els processos de fabricació en 8 nanòmetres.
El fet que Samsung no tingui rival de moment fa no només que la companyia es pugui prendre tot aquest tipus de fabricació amb molta més calma, cosa bàsica que us permetrà adaptar la resta dels seus xips a aquest tipus de tecnologia de fabricació on, ja s'ha confirmat la migració en primer lloc de diferents plataformes com la DDR5, HBM3, LPDDR5 i GDDR6, una cosa bàsica per aconseguir que els seus servidors, supercomputadors i altres sistemes d'alt rendiment continuïn sent líders del mercat.