Kummallista on, että monet käyttäjät ovat ostaessaan uutta älypuhelinta enemmän huomiota erilaisiin parametreihin, kuten valokuvien laatuun, prosessorin nopeuteen ja jopa sen ROM-levyllä olevan laitteen RAM-muistin kapasiteettiin. Toisin sanoen, tallennuskapasiteetissa, jota pääte itse voi tarjota, tosiasia, joka voi mennä taustalle ja joka valitettavasti voi aiheuttaa sen, että suurista mahdollisuuksista huolimatta suuri pullonkaula siirrettäessä tietoja fyysisestä tallennustilastaan, kunnes se ladataan RAM-muistiin jatkokäsittelyä varten.
Kuten sanon, ROM-levyt ovat paljon tärkeämpiä kuin voimme kuvitella, vaikka emme halua uskoa tätä niin paljon, että ilman hyvää NAND-muistia, kuten sanon, Tämän päätteen tarjoama käyttökokemus voi vaikuttaa vakavasti. Muuten puhelin, joka saattaa tuntua keskinkertaiselta ensi silmäyksellä, voi tarjota paljon palkitsevamman käyttäjäkokemuksen, koska se käyttää laadukkaita ROM-levyjä.
JEDEC on juuri päivittänyt standardin, joka hallitsee UFS-tyyppisten NAND-muistien toimintaa ja toimintaa, jota käytännössä kaikki markkinoilla olevat älypuhelimet käyttävät tällä hetkellä.
Ymmärtääksesi kaiken tämän hieman paremmin, huomaa, että esimerkiksi yli kymmenen vuotta sitten pöytätietokoneen maailmassa joko tornimuotona tai kannettavana, saavuttaaksesi sen nopeuden tietojenkäsittelyn suhteen olivat paljon vanhempia ihmisiä, he valitsivat SSD-tekniikan. Jotain vastaavaa tapahtui liian kauan sitten UFS-asemat, tekniikka, jonka tekniset tiedot on juuri päivitetty JEDEC vain muutama päivä sitten.
Muistutuksena kerro teille, että NAND-määritykset, joita nykypäivän älypuhelimissa käytetään eniten, ovat teknisiä tietoja UFS 2.0, joka tuli ensimmäisen kerran markkinoille, kun Samsung Galaxy S2015 ja UFS 2.1, edellisen evoluutio, joka huolimatta rinnakkaisuudesta 2.0: n kanssa palveli pitkän ajan kuluttua todellisena eMMC-tyyppisten muistien sukupolvenvaihto.
UFS 3.0 erottuu luku- ja kirjoitusnopeudestaan sekä työskentelystään paljon pienemmällä energiankulutuksella
Hieman yksityiskohtaisemmin, kuten JEDEC: n julkaisemassa lehdistötiedotteessa, jossa uusi standardi ilmoitetaan, todetaan, että UFS 3.0 kaksinkertaistaa aiemmin UFS 2.1: n tarjoaman kaistanleveyden. Tämän ansiosta voimme puhua 11 Gbps kanavaa kohti, mikä tarkoittaa 6 Gt / s kirjoitus- ja lukutehtävissä.
Puolestaan, kuten jo tapahtuu UFS 2.0 -standardin kohdalla, kaksi kanavaa voidaan määrittää mikä käytännössä tarkoittaa, että on mahdollista työskennellä luku- ja kirjoituslukujen kanssa, joiden enimmäismäärä on 2 Gt / s, lukuja, jotka herättävät paljon huomiota, koska käytännössä niitä ei saavuteta nykyään tai monien ammattitietokoneiden SSD-asemissa.
Toinen asia, joka meidän on otettava huomioon, on energiankulutus tämän tyyppisestä laitteesta, mikä voi tulla kriittiseksi mobiililaitteessa. Asiakirjojen mukaan näyttää siltä, että UFS 3.0 parantaa merkittävästi näitä lukuja, koska sen kulutus on laskenut 2 volttia, kaukana 306 voltista, joita saman standardin edelliset versiot tarvitsevat.
Muita melko silmiinpistäviä tietoja UFS 3.0: sta
Kaukana mielenkiintoisimmista ja kenties teknisimmistä tiedoista, joita UFS 3.0 tarjoaa, haluaisin kertoa teille, että JEDEC on ajatellut tarkalleen, että tämän uuden sukupolven NAND-muistit pitäisi pystyä toimimaan kaikentyyppisissä yhteyksissä. Tällä tavoin on saavutettu, että tällä uudella standardilla järjestelmät, jotka pystyvät toimimaan lämpötiloissa välillä -40 ºC - 105 ºC.
Kuten tämän tyyppisen muistin mahdollinen saapuminen markkinoilleSiitä puhuvien analyytikoiden mukaan ilmeisesti ja vaikka se näyttääkin olevan melko kiireellistä, ensimmäiset raportit, joissa otetaan käyttöön tällainen tekniikka, voivat saavuttaa markkinat vuoden toisella puoliskolla.