Chaque année, nous avons l'arrivée d'une nouvelle puce Qualcomm qui sera intégré dans les flagships de la plupart des constructeurs tout au long de l'année. L'année dernière, c'est précisément le Snapdragon 820/821 qui a été implémenté dans ces Galaxy S7, LG G5 et autres produits vedettes des différentes marques.
Le Snapdragon 835 est le nouvelle puce Qualcomm et ce serait révélé au CES de Las Vegas, ce serait presque sur le point de commencer. Cette société hésitait à révéler la plupart des informations concernant ce SoC, mais grâce à une fuite aujourd'hui, nous avons les détails du 835.
Fabriqué par Samsung avec le Architecture 10 nm, la puce Snapdragon 835 offrira des performances améliorées de 27% par rapport au Snapdragon 820, tout en consommant moins d'énergie que ce dernier.
Le modem X16 LTE sur la puce Snapdragon 835 est le premier à avoir un modem LTE classe gigabit. La fuite nous indique également que la puce aura des cœurs Kryo 280. Le GPU Adreno 540 prend en charge 60 fois plus de couleurs que les puces récentes de la marque, avec un rendu encore 25% plus rapide. En ce qui concerne la vidéo, la lecture vidéo 10 bits, 4K et 60 FPS est prise en charge avec les graphiques DirectX 12, OpenGL ES et Vulkan.
Avec cette nouvelle puce, vous pouvez voir plus d'espace pour des batteries plus grosses, des appareils photo avec une mise au point plus rapide et une charge rapide 4. Cette dernière permettra aux batteries de se charger 20% plus rapidement que la charge rapide 3. Cela pourrait signifier que 5 minutes de chargement du smartphone donnerait à l'utilisateur une autonomie supplémentaire de 5 heures. Pour que le mobile soit à moitié chargé, il suffit qu'il soit connecté à la charge pendant 15 minutes.
Cette puce peut être vue dans le premier tour de navires badges tout comme le LG G6 et le Samsung Galaxy S8.