Katru gadu mums ir jaunas mikroshēmas ierašanās no Qualcomm kas visa gada laikā tiks integrēti vairuma ražotāju flagmaņos. Pagājušajā gadā tieši Snapdragon 820/821 tika ieviests šajos Galaxy S7, LG G5 un citos dažādu zīmolu zvaigžņu izstrādājumos.
Snapdragon 835 ir jauna mikroshēma no Qualcomm un tas būtu atklāts CES no Lasvegasas, kas jau gandrīz sāksies. Šis uzņēmums nevēlējās atklāt lielāko daļu informācijas, kas attiecas uz šo SoC, taču, pateicoties noplūdei šodien, mums ir detalizēta informācija par 835.
Ražojis Samsung ar 10 nm arhitektūra, Snapdragon 835 mikroshēma piedāvās par 27% uzlabotu veiktspēju salīdzinājumā ar Snapdragon 820, vienlaikus patērējot mazāk enerģijas nekā pēdējā.
X16 LTE modems Snapdragon 835 mikroshēmā ir vispirms ir LTE modems gigabitu klase. Noplūde arī norāda, ka mikroshēmai būs serdeņi Kryo 280. Adreno 540 GPU atbalsta 60 reizes vairāk krāsu nekā nesenās zīmola mikroshēmas, un to atveidošana notiek pat par 25 procentiem ātrāk. Kas attiecas uz video, tiek atbalstīts 10 bitu, 4K un 60 FPS video atskaņošana ar DirectX 12, OpenGL ES un Vulkan grafiku.
Izmantojot šo jauno mikroshēmu, jūs varat redzēt vairāk vietas lielākām baterijām, kamerām ar ātrāku fokusu un Quick Charge 4. Pēdējais ļaus akumulatorus uzlādēt par 20% ātrāk nekā Quick Charge 3. Tas varētu nozīmēt, ka 5 minūtes viedtālruņa uzlāde dotu lietotājam papildu 5 stundas akumulatora darbības laiku. Lai mobilā puse būtu uzlādēta, mums to vajadzētu savienot tikai ar slodzi 15 minūtes.
Šo mikroshēmu var redzēt pirmās kārtas kuģiem zīmotnes tāpat kā LG G6 un Samsung Galaxy S8.